Розділ «4.3. Заходи створення глибокого родючого орного шару ґрунту»

При створюванні і окультурюванні орного шару солонців і солончаків необхідно вносити гіпс або фосфогіпс. Для окультурювання ґрунту використовують багаторічні злакові рослини, а також солевитривалі культури: просо, ячмінь, овес, яру пшеницю, озиме жито, помідори, капусту, картоплю, брюкву, моркву, ріпу, редьку.

Якщо солонцевий горизонт залягає глибоко, то необхідно проводити періодичне глибоке розпушування його (на мілких і середніх солонцях частіше і в поєднанні з фі-томеліорацією). Найефективніший обробіток таких ґрунтів різними знаряддями при оптимальній вологості з максимальним кришінням і перемішуванням оброблюваних шарів при мінімальному питомому опорі.

Щоб посилити окультурюючий вплив на ґрунт, мінеральні добрива на солонцях і солончаках слід вносити після оранки шляхом перемішування мінеральних добрив з вивернутим на поверхню солонцевим шаром. У роки з недостатнім зволоженням для підвищення ефективності мінеральних добрив краще їх вносити пошарово - одну частину з гноєм на дно борозни, другу - у вивернутий після оранки шар. При цьому поліпшується поживний режим внаслідок повної забезпеченості добривами нижнього, більш зволоженого, шару.

Для підвищення родючості солонцюватих ґрунтів ефективно під час сівби вносити в рядки незначні норми гіпсу (2-4 ц/га).

Солонцюваті ґрунти найдоцільніше поглиблювати на чорних і зайнятих парах, а також під час оранки під просапні культури (цукрові буряки, кукурудзу тощо).

Гіпс вносять пошарово: під оранку для окультурення нижніх шарів ґрунту і під культивацію після оранки. Співвідношення між нормами гіпсу під оранку і під культивацію залежить від виду солонців і глибини залягання солонцевого шару. На глибоко-стовпчастих солонцях, у яких солонцевий горизонт залягає на глибині понад 15 см і після оранки плугом вивертається незначна частина щільного солонцевого шару чи плуг не достає до нього, 0,75 норми гіпсу вносять під оранку, а 0,25 - під культивацію. На корково-стовпчастих і стовпчастих солонцях, у яких солонцевий горизонт залягає на глибині відповідно до 7 і 7-15 см і під час оранки на поверхню ґрунту виноситься значна частина солонцевого шару, під оранку вносять половину норми гіпсу. На солонцюватих ґрунтах (чорноземах, каштанових), де при оранці щільний солонцевий шар майже не виноситься, всю норму гіпсу вносять під оранку.

Для прискорення дії гіпсу дуже важливо, щоб ґрунт був досить вологим. На зрошуваних землях проводять поливи, а на богарних - затримання снігу, талих вод тощо. Це прискорює вимивання з ґрунту шкідливої для рослин соди, а також сульфату натрію, що утворюється при гіпсуванні солонців.

Іноді солонцюваті ґрунти, особливо солонці, спочатку обробляють без вивертання глибших шарів (плугами з ґрунтопоглиблювачами або вирізними полицями), а в наступні роки розпушені глибші шари вивертають на поверхню, поліпшуючи їх властивості внесенням гною, мінеральних добрив та гіпсу.

На незрошуваних землях у посушливих районах, де сода з ґрунту не вимивається, поглиблювати орний шар на солонцях краще без вивертання нижньої частини. На глибоких солонцях з глибиною надсолонцевого горизонту понад 18 см для цього використовують безполицеві або ярусні плуги.

Поряд з гіпсуванням застосовують і інші способи окультурювання солонцюватих ґрунтів. У деяких з них під солонцевим горизонтом на глибині 30-45 см залягають шари, багаті на гіпс. У цих випадках гіпс підсолонцевого шару використовують для самогіпсування солонців: солонцюваті ґрунти орють плантажними плугами на глибину 35-50 см, при цьому гіпсоносний шар вивертається (повністю або частково) і перемішується із солонцевим горизонтом. Сульфат натрію, що утворюється, вилучається зрошенням.

Для окультурювання степових середньо- і глибокостовпчастих солонців зони каштанових ґрунтів запропоновано використовувати вуглекислий кальцій, що міститься в підсолонцевих горизонтах. Проте вуглекислий кальцій діє значно гірше, ніж сульфат кальцію, розчинний у воді. Розчинність його і меліорувальна дія зростають при збільшенні концентрації вугільної кислоти в ґрунтовому розчині внаслідок активізації мікроорганізмів у ґрунті та виділення вуглекислого газу корінням рослин. Вуглекислий кальцій під впливом вугільної кислоти переходить у розчинний бікарбонат кальцію і кальцій витісняє поглинутий натрій із солонцевого ґрунту. Підвищення меліорувальної дії вуглекислого кальцію досягається застосуванням комплексу агрозаходів, який включає: плантажну або ярусну оранку на глибину до 60 см, під час якої на поверхню вивертаються шари, багаті на карбонати або гіпс; систему заходів щодо збільшення запасів вологи в ґрунті (зрошення, снігозатримання, лісосмуги, чорні й кулісні пари); застосування органічних і мінеральних добрив; сівба люцерни та інших посухо- і солевитривалих культур - освоювачів солонців для збільшення запасів органічної речовини і активізації мікробіологічних процесів у ґрунті. Цей спосіб поглиблення орного шару, який іноді називають самомеліорацією, доцільно застосовувати насамперед на поширених серед каштанових ґрунтів хлоридно-сульфатних і сульфатно-хлоридних солонцях, якщо гіпсовий або карбонатний шар залягає не глибше за 50-55 см.

Плантажну оранку солонців виконують плугами ППУ-50А, ППН-40, ППН-50 на полях під чорний пар або під час підняття раннього зябу під просапні. Плантажні плуги встановлюють на глибину 40 см і глибше так, щоб не менше ніж на 10-санти-метровий гіпсовмісний або карбонатний шар домішати до верхнього орного шару. Щоб вирівняти поверхню ґрунту і змішати вивернутий на поверхню карбонатний або гіпсований шар з ґрунтом, восени ці поля обробляють чизелями, культиваторами та боронами на глибину 20 см і більше.

Добрі результати одержують і тоді, коли верхній гумусовий горизонт залишається на місці, а солонцевий перемішується з карбонатним або гіпсовим, який залягає під солонцевим (триярусна оранка); товщина підсолонцевого шару при цьому не повинна бути меншою ніж 10 см.

Солонцеві ґрунти, які трапляються невеликими плямами (до 10%) у масивах чорноземів, багатих на кальцій, можна поліпшити землюванням - переміщенням на них розміщеного поруч чорноземного ґрунту. В цьому випадку солонцевий шар розбавляється, поглинутий натрій частково заміщується кальцієм переміщеного чорноземного ґрунту.

В інтенсивному землеробстві для поглиблення орного шару ґрунтів солонцевого комплексу застосовують такі заходи механічного обробітку ґрунту: лущення стерні на глибину 8-10 см відразу ж після збирання врожаю зернових культур з наступною (через 15-20 днів) плантажною оранкою на глибину до 40 см; лущення стерні на глибину 8-10 см відразу ж після збирання врожаю зернових культур з наступною (через 15-20 днів) глибокою (на 30-32 см) оранкою плугами з ґрунтопоглиблювачами (на 5-10 см); лущення стерні на глибину 8-10 см відразу після збирання врожаю зернових культур, плантажна оранка на глибину 50-60 см з наступним поверхневим обробітком дисковими знаряддями; фрезерування на глибину 8-10 см з наступним розпушуванням нижніх шарів на глибину 30-35 см; оранка на глибину гумусового шару в поєднанні з фрезеруванням солонцевого і підсолонцевого горизонтів.